Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6020ANX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6020AN
R6020ANX Hakkında
R6020ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 20A sürekli dren akımı ve 220mOhm (10A, 10V'de) on-resistance özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate gerilimi aralığında çalışabilen bileşen, endüstriyel güç dönüştürücüleri, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 150°C işletme sıcaklığında 50W güç tüketebilen R6020ANX, hızlı anahtarlama karakteristiği (Qg: 65nC @ 10V) sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok