Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6018JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6018JNX
R6018JNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6018JNXC7G, 600V drain-source voltajına ve 18A sürekli dren akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 286mΩ maksimum on-resistance (15V, 9A koşullarında) ile güç kaybını minimalize eder. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında stabil performans sunmaktadır. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 42nC gate charge ve 1300pF input capacitance hızlı anahtarlama özelliğini desteklemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 9A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 4.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok