Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6018JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6018JN
R6018JNJGTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6018JNJGTL, 600V drain-source voltajında 18A sürekli akım kapasitesine sahip N-kanal MOSFET transistördür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. 286mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 42nC olup, 42nC @ 15V şartlarında hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu MOSFET, endüstriyel konverterler, güç yönetimi devreleeri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 220W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile termal yönetim kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 286mOhm @ 9A, 15V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 4.2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok