Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6018ANJTL
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6018ANJ
R6018ANJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6018ANJTL, 600V drain-source voltaj ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 100W güç dağıtımı yeteneğine ve 270mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. ±30V gate voltaj aralığında çalışabilen ve 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilen bu bileşen, endüstriyel güç denetim uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve solar inverter sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. 55nC gate charge ve 2050pF input kapasitansı değerleri hızlı anahtarlama karakteristiğini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok