Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6015KNXC7G

600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6015KNXC7G

R6015KNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6015KNXC7G, 600V drain-source voltaj ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine ve 290mOhm (10V gate voltajında, 6.5A drenaj akımında) RDS(on) değerine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. 27.5nC gate charge ve 1050pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok