Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6015KNX

MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6015KNX

R6015KNX Hakkında

R6015KNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 15A sürekli drain akımı ve 290mΩ maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. ±20V gate voltaj aralığı ve 27.5nC gate charge karakteristiğiyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışan bu MOSFET, güç kaynakları, motor sürücüler, AC-DC konverterler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 60W maksimum güç tüketim kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok