Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6015ENZC17
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6015EN
R6015ENZC17 Hakkında
R6015ENZC17, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 15A kontinü drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 Full Pack paketlemesi ile through-hole montajını destekler. Maksimum 290mOhm drain-source direnç (RDS-On) özelliği ile verimli anahtarlama sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışabilen bu bileşen, sanayi ve enerji dönüştürme sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak uygulanır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığı ve 120W güç dağılımı kapasitesi ile uzun süreli kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok