Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6015ENXC7G
600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6015EN
R6015ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor R6015ENXC7G, 600V 600V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 15A sürekli dren akımı kapasitesi ve TO-220-3 Through Hole paketlemesi ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. 290mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 40nC gate charge ve 910pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama ve verimli çalışma imkanı tanır. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 60W güç yayabilir. Güç dönüştürücüleri, enerji kaynakları, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok