Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6015ENX
MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6015EN
R6015ENX Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6015ENX, 600V Drain-Source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 25°C'de 15A sürekli dren akımı ve 290mΩ maksimum Rds(on) değeri ile belirtilmiştir. Güç dağılımı kapasitesi 40W olup, ±20V gate gerilimi toleransına sahiptir. 40nC gate yükü ve 910pF input kapasitanslı bu MOSFET, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerde ve yüksek gerilim DC-DC konvertörlerinde kullanılır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uygun, 150°C maksimum junction sıcaklığı ile güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok