Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6015ENJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6015EN
R6015ENJTL Hakkında
R6015ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 15A sürekli dren akımı ve 290mΩ RDS(on) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama görevi yapar. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu FET, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır. 600V dren-kaynak gerilimi sayesinde yüksek gerilim çıktılı DC-DC konvertörleri ve AC adaptörleri tasarımında tercih edilir. ±20V gate gerilim sınırlaması ile darbe genişlik modülasyonlu (PWM) sistemlerinde güvenli çalışım sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok