Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6015ANZFU7C8
MOSFET N-CH 600V 15A TO3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6015ANZ
R6015ANZFU7C8 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6015ANZFU7C8, 600V drain-source gerilim ve 15A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET'tir. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, 300mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 110W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, AC-DC konverterler ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PF |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok