Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6015ANX

MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6015AN

R6015ANX Hakkında

R6015ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 15A sürekli drain akımı kapasitesine ve 300mOhm'luk maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 50 nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunan R6015ANX, ±30V gate voltaj toleransına ve 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanabilir. Yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması, inverter devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok