Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6015ANJTL

MOSFET N-CH 600V 15A LPTS

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
R6015ANJ

R6015ANJTL Hakkında

R6015ANJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 15A sürekli dren akımı kapasitesi ve 300mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 100W güç saçma kapasitesi ile endüstriyel ve tüketim ürünü uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package LPTS
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok