Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6012JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6012JNXC7G
R6012JNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6012JNXC7G, 600V drain-source gerilim kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Sürekli 12A drain akımı ile 60W güç dağıtabilmesi, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevleri için uygun kılmaktadır. 390mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-220-3 paketlemesi ile endüstriyel elektronik cihazlar, güç kaynakları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü devrelerinde kullanıma uygundur. ±30V gate gerilimi aralığında çalışan cihaz, 150°C maksimum bağlantı noktası sıcaklığında güvenilir işlem gerçekleştirir. Through-hole montajı sayesinde PCB tasarımında kolay uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 6A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok