Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6012JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6012JNJ
R6012JNJGTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6012JNJGTL, 600V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-kanal MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 15V gate sürüş geriliminde 390mOhm maksimum on-direnci ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. Gate charge değeri 28nC (@15V) ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 160W güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 6A, 15V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok