Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6012FNX
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6012FN
R6012FNX Hakkında
R6012FNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V Drain-Source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 510mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimalize edilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama regülatörlerinde tercih edilir. -30V ile +30V arasında Gate-Source gerilim toleransı sayesinde geniş uygulama alanında kullanılabilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 50W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 510mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok