Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6012ANJTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6012ANJ
R6012ANJTL Hakkında
R6012ANJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 420mOhm maksimum RDS(on) değeri ile açık durumdaki güç kaybını sınırlar. 150°C maksimum işletim sıcaklığında 100W güç tüketebilir. Vgs(th) 4.5V olup ±30V kapı gerilimi toleransına sahiptir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok