Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6011KNXC7G
600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6011KNXC7G
R6011KNXC7G Hakkında
R6011KNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 390mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate Charge değeri 22nC olup, 740pF input kapasitesine sahiptir. 10V sürücü gerilimi ile çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulanabilirlik alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok