Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6011KNX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6011KN

R6011KNX Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6011KNX, 600V drenaj-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 390mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, SMPS (Switched-Mode Power Supply), DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 53W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilebilen cihaz, 22nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok