Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6011KND3TL
R6011KND3TL1 Hakkında
R6011KND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 600V Drain-Source gerilim ve 11A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltaj invertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate sürüş geriliminde 390mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Junction sıcaklığı 150°C'ye kadar çalışabilen bu FET, 124W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Gate şarj miktarı 22nC ve giriş kapasitansi 740pF olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok