Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6011ENX
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6011EN
R6011ENX Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6011ENX, 600V dayanıklılığı ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 40W maksimum güç tüketimi ve 390mOhm'luk açık durum direnci (Rds On) özellikleriyle verimli anahtarlama performansı sağlar. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen bileşen, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kararlı performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok