Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6011ENJTL
MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6011EN
R6011ENJTL Hakkında
R6011ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ve 390mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 32nC gate charge ve 670pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 150°C maksimum junction sıcaklığında 40W güç dağıtabilir. AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok