Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6011END3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6011END3TL
R6011END3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6011END3TL1, 600V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı yeteneğine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı-kaynak geriliminde 390mΩ maksimum on-state direncine (Rds On) sahiptir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında 124W güç dağıtabilir. 32nC kapı yükü ve 670pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlamaya uygun özelliklere sahiptir. Yüksek gerilim uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum kapı-kaynak gerilimi ve 4V kapı eşik gerilimi ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 124W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok