Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6010ANX
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6010AN
R6010ANX Hakkında
R6010ANX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paket tipiyle PCB'ye lehimlenebilen through-hole montajını destekler. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 50W güç tüketebilir. Gate-source gerilimi ±30V parametreleriyle endüstriyel anahtarlama devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. 10V drive voltajında çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok