Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009KNXC7G
600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009KNXC7G
R6009KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6009KNXC7G, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bir N-Channel MOSFET'tir. 9A sürekli drain akımı kapasitesi ve 535mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, invertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 paketlemesi ile DIP'den SMD'ye geçiş yapan tasarımlarda mekanik montajı kolaylaştırır. 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanıklı yapısı ve 16.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. ±20V gate-source gerilim aralığında güvenli çalışır ve 48W güç harcaması kapasitesi ile orta güç uygulamalarına yönelik tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok