Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009KNX
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009KNX
R6009KNX Hakkında
R6009KNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25°C'de 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paket tipi ile monte edilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 535mOhm'dur. 16.5nC gate charge ve 540pF input kapasitans özellikleri ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği sağlar. Güç kaybı maksimum 48W olup, SMPS, AC/DC konvertörleri, motor kontrolü ve diğer yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok