Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009JNXC7G
R6009JNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6009JNXC7G, N-channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltaj ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 585mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 53W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Gate charge özelliği 22nC @ 15V olup hızlı anahtarlama davranışı sağlar. Yüksek voltajlı DC-DC konvertörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve indüktif yük anahtarlamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 1.38mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok