Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009JNJ
R6009JNJGTL Hakkında
R6009JNJGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol fonksiyonları gerçekleştirir. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, şarj cihazları, motor kontrolörleri ve invertör devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 125W güç dağılım kapasitesi ile yüksek yük uygulamalarında tercih edilir. 585mOhm RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 1.38mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok