Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 9A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009JND3TL1
R6009JND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6009JND3TL1, 600V ve 9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) kasa tipi ile yüzey montajı için tasarlanmıştır. 585mΩ maksimum On-direnci (15V, 4.5A koşullarında) ve 125W maksimum güç disipasyonu özellikleri taşır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate charge (22nC @ 15V) sayesinde hızlı anahtarlama sağlar. Yüksek voltaj güç uygulamaları, switch-mode güç kaynakları, motor sürücüleri ve elektriksel kontrol sistemlerinde kullanılır. ±30V maksimum Gate-Source gerilimi ile güvenli çalışma alanı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 585mOhm @ 4.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 1.38mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok