Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6009ENJTL
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6009
R6009ENJTL Hakkında
R6009ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. 9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bileşen, 535mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işlemleri destekler. 150°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 23nC gate charge değeri hızlı anahtarlama yeteneği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 535mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok