Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007KNXC7G
600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007KNXC7G
R6007KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6007KNXC7G, 600V drain-source gerilimi ile çalışan bir N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 620mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. 14.5nC gate charge ve 470pF input capacitance ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. ±20V gate-source gerilim aralığında çalışabilir. 46W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışan junction sıcaklığı geniş sıcaklık uygulamalarına uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok