Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007KNX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007KN
R6007KNX Hakkında
R6007KNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate-source voltajında 620mOhm'luk düşük on-resistance (RDS(on)) değeri ile konmutasyon uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 46W maksimum güç tüketimi ile güç dönüştürücüler, motor kontrol, anahtarlama kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 14.5nC gate charge değeri ile hızlı ve kontrollü anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok