Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007KNJTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007KNJ
R6007KNJTL Hakkında
R6007KNJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-263-3 (D²Pak) paket tipinde sunulan bu transistör, 7A sürekli drain akımı ve 620mΩ maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında çalışan bileşen, 14.5nC gate charge ve 470pF input capacitance değerlerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen R6007KNJTL, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devrelerine ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş operating range sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok