Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007JND3TL
R6007JND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6007JND3TL1, 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 15V gate sürü geriliminde 780mOhm maksimum on-state direncine (Rds(on)) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 96W maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için kullanılır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, invertör uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3.5A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok