Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007ENXC7G
600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007EN
R6007ENXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6007ENXC7G, 600V drain-source voltaj kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, 7A sürekli drenaj akımı ve 46W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 620mOhm (Vgs=10V, Id=2.4A) on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. Gaz deşarj lambalar, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok