Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007ENX
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007EN
R6007ENX Hakkında
R6007ENX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketindeki bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve AC/DC dönüştürücülerinde tercih edilir. 620mΩ maksimum RDS(on) değeri ve 40W güç dağılımı kapasitesi, verimli çalışma sağlar. 10V gate sürü gerilimi ile standart kontrolör çıkışlarından doğrudan tahrik edilebilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı endüstriyel uygulamalara uygunluğunu gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok