Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6007ENJTL
MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6007EN
R6007ENJTL Hakkında
R6007ENJTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 620mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüler, switched-mode power supplies (SMPS) ve enerji dönüşüm devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok