Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6006KNXC7G
600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6006KNXC7G
R6006KNXC7G Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6006KNXC7G, 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun N-Channel MOSFET transistördür. 6A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme devrelerine, anahtarlama uygulamalarına ve motor kontrol sistemlerine entegre edilir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve maksimum 40W güç dağıtabilir. 830mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. İş sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilen bu MOSFET, endüstriyel elektronik uygulamalarında, şarj devrelerinde ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 830mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok