Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6006KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6006KND3TL
R6006KND3TL1 Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6006KND3TL1, 600V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 830mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 70W güç dağıtma kapasitesi, 12nC gate charge ve 150°C maksimum operasyon sıcaklığı ile endüstriyel, enerji dönüşüm, motor kontrol ve güç kaynağı devrelerinde yer alır. Düşük gate-source voltaj threshold değeri (5.5V @ 1mA) sayesinde kolay sürülmesi mümkündür. ±20V maksimum gate-source gerilimi aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 830mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok