Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6006JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6006JN
R6006JNXC7G Hakkında
R6006JNXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6A sürekli drain akımı kapasitesi, 43W güç dağılımı ve 936mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında çalışır. TO-220-3 paket tipi ile direk PCB montajı yapılabilen bu bileşen, endüstriyel denetim sistemleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilim aralığı, 15.5nC gate charge ve düşük input kapasitesi hızlı anahtarlama gereksinimlerine uygun özellikleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 936mOhm @ 3A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok