Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6006JND3
R6006JND3TL1 Hakkında
R6006JND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 6A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtar görevi görür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. 936mOhm maksimum on-resistance değeri ile enerji kaybını sınırlandırırken, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında kullanım imkânı verir. Endüstriyel uygulamalar, AC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve DC-DC converterlar gibi güç yönetimi sistemlerinde tercih edilen bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 936mOhm @ 3A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok