Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004PND3FRATL
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004PND3F
R6004PND3FRATL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6004PND3FRATL, 600V derede çalışabilen N-channel MOSFET'tir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü voltajında 1.8Ω maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Vgs(th) 4.5V @ 1mA ve maksimum ±25V gate voltajı desteğiyle geniş uygulama alanı sunar. 65W maksimum güç dağıtımı ve 150°C çalışma sıcaklığıyla, güç dönüştürme, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanılır. 11nC gate yükü ve 280pF input kapasitanslı tasarımı hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok