Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004KNX
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004KN
R6004KNX Hakkında
R6004KNX, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 980mOhm on-state direnci (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtar modlu güç kaynakları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 40W güç tüketebilir. 10V gate sürme gerilimi ile çoğu modern kontrol devresinden doğrudan kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok