Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004KNJTL
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004KNJ
R6004KNJTL Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6004KNJTL, 600V drain-source voltaj kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 980mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, güç elektronikleri, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10.2nC gate charge ve 280pF input capacitance ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 58W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok