Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

R6004JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
R6004JN

R6004JNXC7G Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6004JNXC7G, 600V drain-source geriliminde çalışabilen N-kanal MOSFET transistördür. 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu bileşen, 1.43Ω maksimum on-direnç değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu transistör, endüstriyel güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. 10.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun bir tercih sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 15V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 100 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 15V
Supplier Device Package TO-220FM
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 7V @ 450µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok