Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004JNJGTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004JNJGTL
R6004JNJGTL Hakkında
R6004JNJGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim dayanımı ve 4A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 D²Pak paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 1.43Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.43Ohm @ 2A, 15V |
| Supplier Device Package | LPTS |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok