Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004JND3TL
R6004JND3TL1 Hakkında
R6004JND3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source voltajına ve 4A sürekli drain akımına sahip olan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında güç anahtarlaması ve kontrol işlevlerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan R6004JND3TL1, endüstriyel konvertörler, SMPS (Switched Mode Power Supplies), motor kontrol devreleri ve elektrik çevirgeçleri gibi güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Maksimum 1.43Ω RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlayan transistör, ±30V maksimum gate voltajına ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanıklıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.43Ohm @ 2A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 450µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok