Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004ENXC7G
600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004EN
R6004ENXC7G Hakkında
R6004ENXC7G, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 4A sürekli dren akımı ve 980mOhm (10V, 1.5A'de) RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 600V dren-kaynak gerilimi, enerji dönüştürücü devreleri, AC-DC adaptörleri, endüstriyel kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 15nC gate charge ve 250pF giriş kapasitansi ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır, maksimum 150°C işletme sıcaklığında 40W güç disipasyonuna dayanır. Através-delikli montaj tipi entegrasyonu kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok