Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004ENX
MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004EN
R6004ENX Hakkında
ROHM Semiconductor tarafından üretilen R6004ENX, 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 980mOhm maksimum on-resistance değerine ulaşır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 40W güç harcayabilme kapasitesine sahiptir. Gate yükü 15nC ve input kapasitansi 250pF olarak belirtilmiştir. Yüksek voltaj uygulamaları, güç dönüştürücüleri, anahtarlama devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaya uygundur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegrasyonu sağlanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok