Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
R6004ENDTL
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- R6004END
R6004ENDTL Hakkında
R6004ENDTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 20W güç dağıtabilir. 980mOhm RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve indüktif yük anahtarlaması gereken endüstriyel devrelerde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | CPT3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok